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Datasheet > 存储 > EEPROM> 93AA46AT-I/MSGX
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93AA46AT-I/MSGX

更新时间： 2024-02-04 08:21:27
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 98K
描述
128X8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

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93AA46AT-I/MSGX 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.42
Is Samacsys：N其他特性：100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
备用内存宽度：8最大时钟频率 (fCLK)：2 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm内存密度：1024 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：64 words
字数代码：64工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64X16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：TS 16949
座面最大高度：1.75 mm串行总线类型：MICROWIRE
最大待机电流：0.00003 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.001 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.91 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
写保护：SOFTWAREBase Number Matches：1

93AA46AT-I/MSGX 数据手册

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93AA46/56/66  
TABLE 1-1:  
Name  
PIN FUNCTION TABLE  
Function  
1.0  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
1.1  
Maximum Ratings  
CS  
CLK  
DI  
Chip Select  
VCC ............................................................................ 7.0V  
All inputs and outputs w.r.t. VSS..........-0.6V to VCC +1.0V  
Storage temperature................................-65˚C to +150˚C  
Ambient temp. with power applied...........-65˚C to +125˚C  
Soldering temperature of leads (10 seconds)........+300˚C  
ESD protection on all pins ......................................... 4 kV  
Serial Data Clock  
Serial Data Input  
Serial Data Output  
Ground  
DO  
VSS  
ORG  
NU  
Memory Configuration  
Not Utilized  
*Notice: Stresses above those listed under “Maximum ratings”  
may cause permanent damage to the device. This is a stress rat-  
ing only and functional operation of the device at those or any  
other conditions above those indicated in the operational listings  
of this specification is not implied. Exposure to maximum rating  
conditions for extended periods may affect device reliability.  
VCC  
Power Supply  
TABLE 1-2:  
DC AND AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VCC = +1.8V to +5.5V  
Commercial (C): Tamb = 0˚C to +70˚C  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Conditions  
High level input voltage  
Low level input voltage  
Low level output voltage  
High level output voltage  
VIH1  
VIH2  
VIL1  
2.0  
0.7 VCC  
-0.3  
-0.3  
—
—
2.4  
VCC-0.2  
-10  
-10  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
VCC+1  
VCC+1  
0.8  
0.2 VCC  
0.4  
0.2  
—
—
10  
V
V
V
V
V
V
V
V
VCC ≥ 2.7V  
VCC < 2.7V  
VCC ≥ 2.7V  
VCC < 2.7V  
IOL = 2.1 mA; VCC = 4.5V  
IOL = 100µA; VCC = 1.8V  
IOH = -400 µA; VCC = 4.5V  
IOH = -100 µA; VCC = 1.8V  
VIN = 0.1V to VCC  
VIL2  
VOL1  
VOL2  
VOH1  
VOH2  
ILI  
Input leakage current  
Output leakage current  
Pin capacitance  
(all inputs/outputs)  
Operating current  
µA  
µA  
pF  
ILO  
CIN, COUT  
10  
7
VOUT = 0.1V to VCC  
—
VIN/VOUT = 0V (Note 1 & 2)  
Tamb = +25˚C, FCLK = 1 MHz  
FCLK=2 MHz; VCC=5.5V (Note 2)  
FCLK = 2 MHz; VCC = 5.5V  
FCLK = 1 MHz; VCC = 3.0V  
FCLK = 1 MHz; VCC = 1.8V  
CLK = CS = 0V; VCC = 5.5V  
CLK = CS = 0V; VCC = 3.0V  
CLK = CS = 0V; VCC = 1.8V  
VCC ≥ 4.5V  
ICC write  
ICC read  
—
—
—
—
3
1
500  
mA  
mA  
µA  
µA  
µA  
µA  
µA  
MHz  
MHz  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
70  
2
Standby current  
Clock frequency  
ICCS  
100  
30  
FCLK  
2
1
VCC < 4.5V  
Clock high time  
Clock low time  
TCKH  
TCKL  
TCSS  
TCSH  
TCSL  
TDIS  
TDIH  
TPD  
TCZ  
TSV  
TWC  
TEC  
TWL  
250  
250  
50  
Chip select setup time  
Chip select hold time  
Chip select low time  
Data input setup time  
Data input hold time  
Data output delay time  
Data output disable time  
Status valid time  
Relative to CLK  
Relative to CLK  
0
250  
100  
100  
ns  
ns  
ns  
ns  
Relative to CLK  
Relative to CLK  
CL = 100 pF  
CL = 100 pF (Note 2)  
CL = 100 pF  
ERASE/WRITE mode  
ERAL mode (Vcc = 5V ± 10%)  
WRAL mode (Vcc = 5V ± 10%)  
400  
100  
500  
10  
15  
30  
ns  
Program cycle time  
4
8
16  
ms  
ms  
ms  
Endurance  
93AA46  
—
—
1M  
10M  
—
—
1M  
10M  
—
—
25°C, Vcc = 5.0V, Block Mode  
(Note 3)  
93AA56/66  
Note 1: This parameter is tested at Tamb = 25°C and FCLK = 1 MHz.  
2: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
3: This parameter is not tested but guaranteed by characterization. For endurance estimates in a specific appli-  
cation, please consult the Total Endurance Model which can be obtained on our BBS or website.  
DS20067G-page 2  
1996 Microchip Technology Inc.  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
93AA46A-TI/MSX MICROCHIP

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 		128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, MO-187, MSOP-8
93AA46AT-I/MSX MICROCHIP

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