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934059015115

更新时间： 2024-11-25 14:21:07

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	188K
描述
5100mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN

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934059015115 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.8
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5.1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-243AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	最大关闭时间（toff）：	350 ns
最大开启时间（吨）：	65 ns	Base Number Matches：	1

934059015115 数据手册

PBSS302PX

20 V, 5.1 A PNP low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 02 — 20 November 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89

(SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS302NX.

1.2 Features

Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

High collector current capability I_Cand I_CM

High collector current gain (h_FE) at high I_C

High efficiency due to less heat generation

Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

1.3 Applications

DC-to-DC conversion

MOSFET gate driving

Motor control

Charging circuits

Power switches (e.g. motors, fans)

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−20

Unit

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage open base

collector current

−5.1

−10.2

I_CM

peak collector current

single pulse;

t_p≤ 1 ms

[1]

R_CEsat

collector-emitter

I_C= −4 A;

mΩ

saturation resistance

I_B= −200 mA

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

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