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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.03 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏源导通电阻： | 85 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 934005310126 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, PLASTIC, SC-43, 3 PIN, FET Gene |
|
| 934005380115 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3, BIP General P |
|
| 934005490112 | NXP |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, SO |
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| 934005650112 | NXP |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, SO |
|
| 934005750126 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43, 3 PIN, B |
|
| 934005750412 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43, 3 PIN, B |
|
| 934005840112 | NXP |
获取价格 |
VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CERAMIC PACKAGE-4 |
|
| 934005840215 | NXP |
获取价格 |
VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CERAMIC PACKAGE-4 |
|
| 934005980113 | NXP |
获取价格 |
0.1A, 3000V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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| 934005980153 | NXP |
获取价格 |
0.1A, 3000V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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