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933709010127

更新时间： 2024-11-16 19:53:07

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恩智浦 - NXP		超快软恢复二极管快速软恢复二极管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	46K
描述
DIODE 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, Rectifier Diode

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933709010127 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.48	应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	132 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	0.06 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

933709010127 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Dual rectifier diodes

ultrafast

BYV34 series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low forward volt drop

• Fast switching

• Soft recovery characteristic

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

V_R= 300 V/ 400 V/ 500 V

V_F≤ 1.05 V

I_O(AV)= 20 A

t_rr≤ 60 ns

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOT78 (TO220AB)

Dual, common cathode, ultra-fast,

epitaxial rectifier diodes intended

for use as output rectifiers in high

frequency switched mode power

supplies.

DESCRIPTION

anode 1

cathode

tab

The BYV34 series is supplied in the

anode 2

cathode

conventional

leaded

SOT78

(TO220AB) package.

tab

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

BYV34

-300

300

-400

400

-500

500

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak repetitive reverse voltage

Crest working reverse voltage

Continuous reverse voltage

T_mb≤ 138˚C

I_O(AV)

I_FRM

I_FSM

Average rectified output current square wave; δ = 0.5;

(both diodes conducting)¹

T_mb≤ 115 ˚C

Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;

per diode

Non-repetitive peak forward

current per diode.

T_mb≤ 115 ˚C

t = 10 ms

120

132

t = 8.3 ms

sinusoidal; with reapplied

V_RRM(max)

T_stg

T_j

Storage temperature

Operating junction temperature

-40

150

˚C

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

R_{th j-hs}

Thermal resistance junction to per diode

2.4

1.6

K/W

heatsink

both diodes conducting

R_{th j-a}

Thermal resistance junction to in free air.

ambient

1 Neglecting switching and reverse current losses

October 1998

Rev 1.400

12 3 4 5

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