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83905AGILF

更新时间： 2024-02-16 19:09:18

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艾迪悌 - IDT		时钟光电二极管外围集成电路晶体
页数	文件大小	规格书
21页	498K
描述
LVCMOS/ LVTTL Fanout Buffer

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83905AGILF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	TSSOP, TSSOP16,.25	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	1.3
其他特性：	ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3.3V SUPPLY	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
JESD-609代码：	e3	长度：	5 mm
湿度敏感等级：	1	端子数量：	16
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出时钟频率：	100 MHz	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP16,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/3.3 V
主时钟/晶体标称频率：	40 MHz	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	子类别：	Clock Generators
最大压摆率：	10 mA	最大供电电压：	2 V
最小供电电压：	1.6 V	标称供电电压：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	4.4 mm	uPs/uCs/外围集成电路类型：	CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches：	1

83905AGILF 数据手册

83905I Datasheet

Table 6C. AC Characteristics, V = V

= 1.8V ± 0.2V, T = -40°C to 85°C

DDO

Symbol Parameter

Test Conditions

Minimum

Typical

Maximum

Units

Using External Crystal

MHz

f_MAX

Output Frequency

Using External Clock

Source NOTE 1

100

MHz

odc

Output Duty Cycle

tsk(o)

Output Skew; NOTE 2, 3

RMS Phase Jitter (Random)

Output Rise/Fall Time

25MHz, Integration Range:

100Hz – 1MHz

tjit(Ø)

t_R/ t_F

0.27

20% to 80%

200

900

ENABLE1

ENABLE2

ENABLE1

ENABLE2

cycles

Output Enable

Time; NOTE 4

t_EN

Output Disable

Time; NOTE 4

t_DIS

NOTE: Electrical parameters are guaranteed over the specified ambient operating temperature range, which is established when the

device is mounted in a test socket with maintained transverse airflow greater than 500 lfpm. The device will meet specifications after

thermal equilibrium has been reached under these conditions.

NOTE: All parameters measured at ƒ  f_MAXusing a crystal input unless noted otherwise.

NOTE: Terminated at 50 to V_DDO/2.

NOTE 1: XTAL_IN can be overdriven by a single-ended LVCMOS signal. Please refer to Application Information section.

NOTE 2: Defined as skew between outputs at the same supply voltage and with equal load conditions. Measured at V_DDO/2.

NOTE 3: This parameter is defined in accordance with JEDEC Standard 65.

NOTE 4: See phase noise plot.

NOTE 5: These parameters are guaranteed by characterization. Not tested in production.

Table 6D. AC Characteristics, V = 3.3V ± 5%, V

= 2.5V ± 5%, T = -40°C to 85°C

DDO

Symbol Parameter

Test Conditions

Minimum

Typical

Maximum

Units

Using External Crystal

MHz

f_MAX

Output Frequency

Using External Clock

Source NOTE 1

100

MHz

odc

Output Duty Cycle

tsk(o)

Output Skew; NOTE 2, 3

RMS Phase Jitter (Random)

Output Rise/Fall Time

25MHz, Integration Range:

100Hz – 1MHz

tjit

0.14

t_R/ t_F

20% to 80%

200

800

ENABLE1

ENABLE2

ENABLE1

ENABLE2

cycles

Output Enable

Time; NOTE 4

t_EN

Output Disable

Time; NOTE 4

t_DIS

NOTE: Electrical parameters are guaranteed over the specified ambient operating temperature range, which is established when the

device is mounted in a test socket with maintained transverse airflow greater than 500 lfpm. The device will meet specifications after

thermal equilibrium has been reached under these conditions.

NOTE: All parameters measured at ƒ  f_MAXusing a crystal input unless noted otherwise.

NOTE: Terminated at 50 to V_DDO/2.

NOTE 1: XTAL_IN can be overdriven by a single-ended LVCMOS signal. Please refer to Application Information section.

NOTE 2: Defined as skew between outputs at the same supply voltage and with equal load conditions. Measured at V_DDO/2.

NOTE 3: This parameter is defined in accordance with JEDEC Standard 65.

NOTE 4: See phase noise plot.

NOTE 5: These parameters are guaranteed by characterization. Not tested in production.

Revision C September 28, 2016

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