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83905AGILF

更新时间: 2024-01-17 01:22:30
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艾迪悌 - IDT 时钟光电二极管外围集成电路晶体
页数 文件大小 规格书
21页 498K
描述
LVCMOS/ LVTTL Fanout Buffer

83905AGILF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Lifetime Buy零件包装代码:TSSOP
包装说明:TSSOP, TSSOP16,.25针数:16
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:1.3
其他特性:ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3.3V SUPPLYJESD-30 代码:R-PDSO-G16
JESD-609代码:e3长度:5 mm
湿度敏感等级:1端子数量:16
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出时钟频率:100 MHz封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP16,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.8/3.3 V
主时钟/晶体标称频率:40 MHz认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm子类别:Clock Generators
最大压摆率:10 mA最大供电电压:2 V
最小供电电压:1.6 V标称供电电压:1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:4.4 mmuPs/uCs/外围集成电路类型:CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches:1

83905AGILF 数据手册

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83905I Datasheet  
Table 4G. LVCMOS/LVTTL DC Characteristics, T = -40°C to 85°C  
A
Symbol Parameter  
Test Conditions  
VDD = 3.3V ± 5%  
VDD = 2.5V ± 5%  
Minimum  
Typical  
Maximum  
Units  
V
2
1.7  
VDD + 0.3  
VDD + 0.3  
VDD + 0.3  
0.8  
Input  
VIH  
ENABLE1,  
V
High Voltage ENABLE2  
VDD = 1.8V ± 0.2V  
0.65 * VDD  
-0.3  
V
VDD = 3.3V ± 5%  
V
Input  
Low Voltage  
ENABLE1,  
ENABLE2  
VIL  
VDD = 2.5V ± 5%  
-0.3  
0.7  
V
VDD = 1.8V ± 0.2V  
-0.3  
0.35 * VDD  
V
VDDO = 3.3V ± 5%; NOTE 1  
DDO = 2.5V ± 5%; IOH = -1mA  
VDDO = 2.5V ± 5%; NOTE 1  
2.6  
V
V
2
V
VOH  
Output High Voltage  
1.8  
V
VDDO = 1.8V ± 0.2V; NOTE 1  
VDDO = 3.3V ± 5%; NOTE 1  
VDDO = 2.5V ± 5%; IOL = 1mA  
VDDO = 2.5V ± 5%; NOTE 1  
VDDO - 0.3  
V
0.5  
0.4  
V
V
VOL  
Output Low Voltage; NOTE 1  
0.45  
0.35  
V
VDDO = 1.8V ± 0.2V; NOTE 1  
V
NOTE 1: Outputs terminated with 50to VDDO/2. See Parameter Measurement Information, Output Load Test Circuit diagrams.  
Table 5. Crystal Characteristics  
Parameter  
Test Conditions  
Minimum  
Typical  
Maximum  
Units  
Mode of Oscillation  
Frequency  
Fundamental  
10  
40  
50  
7
MHz  
Equivalent Series Resistance (ESR)  
Shunt Capacitance  
Drive Level  
pF  
1
mW  
©2016 Integrated Device Technology, Inc.  
6
Revision C September 28, 2016  

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