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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.55 |
| 访问模式： | FAST PAGE | 最长访问时间： | 150 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 110 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 64KX1 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 8201006ZX | ETC |
获取价格 |
x1 Page Mode DRAM |
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| 8201007EX | ETC |
获取价格 |
x1 Page Mode DRAM |
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| 8201007ZX | ETC |
获取价格 |
x1 Page Mode DRAM |
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| 8201008EX | ETC |
获取价格 |
x1 Page Mode DRAM |
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| 8201008ZX | ETC |
获取价格 |
x1 Page Mode DRAM |
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| 8201009EX | ETC |
获取价格 |
x1 Page Mode DRAM |
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| 8201010EX | ETC |
获取价格 |
x1 Page Mode DRAM |
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| 82012 | POWEREX |
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Phase Control SCR (750-900 Amperes Avg 100-2200 Volts) |
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| 820-12.000MHZ-BBE00010 | FOX |
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Series - Fundamental Quartz Crystal, 12MHz Nom, ROHS COMPLIANT, SMD, 4 PIN |
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| 82-015A-C | ETC |
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Signal Conditioner |
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