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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 80EPF02SPBF
80EPF02SPBF PDF预览

80EPF02SPBF

更新时间： 2024-02-16 04:02:32
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
8页 245K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, 200V V(RRM), Silicon,

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80EPF02SPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-G2最大非重复峰值正向电流：700 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：80 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.18 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

80EPF02SPBF 数据手册

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Outline Dimensions  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
DIMENSIONS in millimeters and inches  
A
A
(3)  
(6)  
E
Ø P  
(Datum B)  
FP1  
B
A2  
A
N
S
M
M
Ø K D B  
(2) R/2  
D2  
Q
2 x R  
(2)  
D1 (4)  
D
L
4
D
1
2
3
Thermal pad  
(5) L1  
C
(4)  
E1  
A
See view B  
M
M
0.01 D B  
2 x b2  
3 x b  
View A - A  
C
2 x e  
A1  
b4  
M
M
0.10 C A  
Lead assignments  
(b1, b3, b5)  
Planting  
Base metal  
Diodes  
D D E  
E
1. - Anode/open  
2. - Cathode  
3. - Anode  
(c)  
c1  
C
C
(b, b2, b4)  
(4)  
Section C - C, D - D, E - E  
View B  
MILLIMETERS  
INCHES  
MIN.  
MILLIMETERS  
INCHES  
SYMBOL  
NOTES  
SYMBOL  
NOTES  
MIN.  
4.65  
2.21  
1.50  
0.99  
0.99  
1.65  
1.65  
2.59  
2.59  
0.38  
0.38  
19.71  
13.08  
MAX.  
5.31  
2.59  
2.49  
1.40  
1.35  
2.39  
2.37  
3.43  
3.38  
0.86  
0.76  
20.70  
-
MAX.  
0.209  
0.102  
0.098  
0.055  
0.053  
0.094  
0.094  
0.135  
0.133  
0.034  
0.030  
0.815  
-
MIN.  
0.51  
MAX.  
1.30  
15.87  
-
MIN.  
MAX.  
0.051  
0.625  
-
A
A1  
A2  
b
0.183  
0.087  
0.059  
0.039  
0.039  
0.065  
0.065  
0.102  
0.102  
0.015  
0.015  
0.776  
0.515  
D2  
E
0.020  
0.602  
0.540  
15.29  
13.72  
3
E1  
e
5.46 BSC  
2.54  
0.215 BSC  
0.010  
0.559  
b1  
b2  
b3  
b4  
b5  
c
FK  
L
14.20  
3.71  
16.10  
4.29  
0.634  
0.169  
L1  
N
0.146  
7.62 BSC  
0.3  
P  
P1  
Q
3.56  
3.66  
6.98  
5.69  
5.49  
0.14  
-
0.144  
0.275  
0.224  
0.216  
-
c1  
D
5.31  
4.52  
0.209  
1.78  
3
4
R
D1  
S
5.51 BSC  
0.217 BSC  
Notes  
(1)  
(2)  
(3)  
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994  
Contour of slot optional  
Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at  
the outermost extremes of the plastic body  
(4)  
(5)  
(6)  
(7)  
Thermal pad contour optional with dimensions D1 and E1  
Lead finish uncontrolled in L1  
Ø P to have a maximum draft angle of 1.5 to the top of the part with a maximum hole diameter of 3.91 mm (0.154")  
Outline conforms to JEDEC outline TO-247 with exception of dimension c  
Revision: 16-Jun-11  
Document Number: 95223  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1...45678

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