80EPS12

更新时间： 2024-02-09 19:30:34

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		整流二极管局域网
页数	文件大小	规格书
7页	170K
描述
Input Rectifier Diode, 80 A

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

80EPS12 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247AC	包装说明：	R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.59
应用：	HIGH VOLTAGE HIGH POWER	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.17 V
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	1500 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	80 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
Base Number Matches：	1

80EPS12 数据手册

80EPS..PbF High Voltage Series

Vishay High Power Products

Input Rectifier Diode, 80 A

DESCRIPTION/FEATURES

The 80EPS..PbF rectifier High Voltage Series

has been optimized for very low forward voltage

drop, with moderate leakage. The glass

passivation technology used has reliable

operation up to 150 °C junction temperature.

Base

cathode

4, 2

Typical applications are in input rectification and these

products are designed to be used with Vishay HPP switches

and output rectifiers which are available in identical package

outlines.

Anode

TO-247AC

This product has been designed and qualified for industrial

level.

PRODUCT SUMMARY

V_Fat 80 A

1.17 V

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC.

I_FSM

1450 A

V_RRM

800/1200 V

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

CHARACTERISTICS

Sinusoidal waveform

Range

VALUES

UNITS

800/1200

1450

V_F

80 A, T_J= 25 °C

1.17

T_J

- 40 to 150

°C

VOLTAGE RATINGS

V_RRM, MAXIMUM

PEAK REVERSE VOLTAGE

_RSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE

PEAK REVERSE VOLTAGE

I_RRM

AT 150 °C

PART NUMBER

80EPS08PbF

80EPS12PbF

800

900

1200

1300

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

T_C= 100 °C, 180° conduction half sine wave

10 ms sine pulse, rated V_RRMapplied

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

10 ms sine pulse, rated V_RRMapplied

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied

VALUES

UNITS

Maximum average forward current

I_F(AV)

1450

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

I_FSM

1500

10 500

14 000

105 000

Maximum I²t for fusing

I²t

A²s

Maximum I²√t for fusing

I²√t

A²√s

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 94347

Revision: 07-Jul-09

For technical questions, contact: diodestech@vishay.com

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与80EPS12相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
80EPS12PBF	VISHAY	Input Rectifier Diode, 80 A	获取价格
80EPS12PBF	INFINEON	INPUT RECTIFIER DIODE	获取价格
80EPS16	INFINEON	INPUT RECTIFIER DIODE	获取价格
80EPS16	VISHAY	Input Rectifier Diode, 80 A	获取价格
80EPS16PBF	VISHAY	Input Rectifier Diode, 80 A	获取价格
80EPS16PBF	INFINEON	INPUT RECTIFIER DIODE Lead-Free ("PbF" suffix)	获取价格