80EBU02

更新时间： 2024-01-24 15:39:33

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Ultrafast Soft Recovery Diode, 80 A FRED PtTM

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80EBU02 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	POWIRTAB-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.45	应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-X1	最大非重复峰值正向电流：	800 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	80 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

80EBU02 数据手册

80EBU02

Ultrafast Soft Recovery Diode,

80 A FRED Pt^TM

Vishay High Power Products

IF = 160A

IF = 80A

IF = 40A

180

160

140

120

100

Square wave (D = 0.50)

80% Rated Vr applied

see note (1)

Vr = 160V

Tj = 125˚C

80 100 120

_(AV)(A)

= 25˚C

Average Forward Current - I

100

1000

di _F/dt (A/µs)

Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.

Average Forward Current

Fig. 7 - Typical Reverse Recovery Time vs. dI_F/dt

1200

120

Vr = 160V

Tj = 125˚C

RMS Limit

1000

Tj = 25˚C

100

800

600

400

200

IF = 160A

IF = 80A

IF = 40A

D = 0.01

D = 0.02

D = 0.05

D = 0.10

D = 0.20

D = 0.50

80 100 120

Average Forward Current - IF_(AV)(A)

100

1000

di_F/dt (A/µs)

Fig. 8 - Typical Stored Charge vs. dI_F/dt

Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics

Note

(1)

Formula used: T_C= T_J- (Pd + Pd_REV) x R_thJC

;

Pd = Forward power loss = I_F(AV)x V_FMat (I_F(AV)/D) (see fig. 6);

Pd_REV= Inverse power loss = V_R1x I_R(1 - D); I_Rat V_R1= 80 % rated V_R

www.vishay.com

For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com

Document Number: 93024

Revision: 30-Oct-08

1 2 345 6 7

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