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80CNQ040APBF

更新时间： 2024-11-20 06:32:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 114K
描述
Schottky Rectifier New Generation 3 D-61 Package, 2 x 40 A

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80CNQ040APBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.13
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.47 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：5800 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：40 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

80CNQ040APBF 数据手册

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80CNQ...APbF  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier  
New Generation 3 D-61 Package, 2 x 40 A  
FEATURES  
• 150 °C TJ operation  
Available  
• Center tap module  
RoHS*  
• Very low forward voltage drop  
• High frequency operation  
COMPLIANT  
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
Base  
common  
cathode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• New fully transfer-mould low profile, small footprint, high  
current package  
1
2
3
Anode  
2
• Through-hole versions are currently available for use in  
lead (Pb)-free applications (“PbF” suffix)  
Anode  
1
Common  
cathode  
• Designed and qualified for industrial level  
D-61-8  
DESCRIPTION  
The center tap Schottky rectifier module series has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
leakage. The proprietary barrier technology allows for  
reliable operation up to 150 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, and reverse battery protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 40 A  
35 to 45 V  
VR  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
80  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
Range  
35 to 45  
5800  
tp = 5 µs sine  
A
VF  
40 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.47  
V
TJ  
- 55 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL 80CNQ035APbF 80CNQ040APbF 80CNQ045APbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
VR  
35  
40  
45  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
per leg  
40  
80  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 114 °C, rectangular waveform  
per device  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current per leg  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
5800  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
750  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 8 A, L = 1.7 mH  
54  
8
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 µs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 94255  
Revision: 13-Aug-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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