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7R16FLE230C25

更新时间： 2024-01-06 17:51:30

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		内存集成电路存储闪存
页数	文件大小	规格书
13页	238K
描述
Flash Card, 8MX16, 150ns, CARD-68

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7R16FLE230C25 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	CARD
包装说明：	DIE,	针数：	68
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.88
最长访问时间：	150 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-XUUC-N68	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH CARD	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIE
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

7R16FLE230C25 数据手册

PCMCIA Flash Memory Card

FLE Series

White Electronic Designs

DATA WRITE AND ERASE PERFORMANCE (1, 3)

V_CC= 5V ± 5%, 0°C ≤ T_A≤ 60°C

SYM

Parameter

Notes

2,4

Min

Typ(1)

Max

300

Units

Test Conditions

t_WHQV1

t_EHQV1

Word/Byte Program time

μs

Excludes system-level overhead

t_WHQV2

t_EHQV2

Block Program Time

Block Erase Time

0.5

2.0

sec

Excludes 00h prog. prior to erasure

Notes:

1. Typical: Nominal voltages and T_A= 25°C.

2. Excludes system overhead.

3. Valid for all speed options.

4. To maximize system performance, RDY/BSY# signal or component status register should be polled.

August 2000

Rev. 4

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com

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