5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | HALOGEN FREE, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.58 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 530 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 142 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 29.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7N65G-TF1-T | UTC |
获取价格 |
7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 7N65G-TF2-T | UTC |
获取价格 |
7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 7N65G-TF3-T | UTC |
获取价格 |
7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 7N65G-TF3T-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 7N65G-TQ2-R | UTC |
获取价格 |
7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 7N65G-TQ2-T | UTC |
获取价格 |
7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 7N65H | PINGWEI |
获取价格 |
7A mps,650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
|
| 7N65-HC | UTC |
获取价格 |
N-CH |
|
| 7N65K | UTC |
获取价格 |
7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 7N65KG-TA3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
