7MBR25SC120

更新时间： 2024-01-11 19:50:34

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富士电机 - FUJI		转换器栅极触发装置可控硅整流器双极性晶体管局域网
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描述
PIM/Built-in converter with thyristor and brake (S series) 1200V / 25A / PIM

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7MBR25SC120 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26	针数：	26
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.72	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN THREE PHASE DIODE BRIDGE, IGBT AND THERMISTOR	最大直流栅极触发电流：	100 mA
JESD-30 代码：	R-XUFM-X26	元件数量：	1
端子数量：	26	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	39.25 A
断态重复峰值电压：	1600 V	重复峰值反向电压：	1600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

7MBR25SC120 数据手册

7MBR25SC120

IGBT Module

Characteristics (Representative)

[ Inverter ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage

Tj= 25°C (typ.)

Collector current vs. Collector-Emitter voltage

Tj= 125°C (typ.)

VGE= 20V 15V

12V

VGE= 20V15V

10V

Collector - Emitter voltage

: VCE [ V ]

Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]

[ Inverter ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage

VGE=15V (typ.)

Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage

Tj= 25°C (typ.)

Tj= 25°C

Tj= 125°C

Ic= 50A

Ic= 25A

Ic= 12.5A

Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]

Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]

[ Inverter ]

Dynamic Gate charge (typ.)

Vcc=600V, Ic=25A, Tj= 25°C

Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C

10000

1000

100

1000

800

600

400

200

Cies

Coes

Cres

100

150

200

250

Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]

Gate charge : Qg [ nC ]

1 234 5 6 7

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