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7MBR100VZ060-50

更新时间： 2024-02-11 12:28:16

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	486K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-32

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7MBR100VZ060-50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X20
元件数量：	7	端子数量：	20
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	520 ns	标称接通时间 (ton)：	360 ns
VCEsat-Max：	2.55 V	Base Number Matches：	1

7MBR100VZ060-50 数据手册

7MBR100VZ060-50

IGBT Modules

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

[ Brake ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

Tj= 150^oC / chip

Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

Tj= 25^oC / chip

100

_GE=20V

15V

12V

10V

Collector-Emitter voltage: V_CE[V]

[ Brake ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

V^GE=15V / chip

Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)

Tj= 25^oC / chip

100

Tj=25°C

Tj=150°C

Tj=125°C

Ic=100A

Ic=50A

Ic=25A

Collector-Emitter voltage: V_CE[V]

Gate - Emitter voltage: V_GE[V]

[ Brake ]

Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

V^GE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C

Dynamic gate charge (typ.)

Vcc=300V, Ic=50A, Tj= 25°C

10.0

V_GE

Cies

1.0

0.1

Coes

V_CE

Cres

100

200

300

400

Collector - Emitter voltage: V_CE[V]

Gate charge: Qg [nC]

1...3 4 567 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
7MBR100VZ120-50	FUJI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PA	获取价格
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