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7MBR100VZ060-50

更新时间: 2024-01-23 21:25:05
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 486K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-32

7MBR100VZ060-50 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.72
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):100 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X20
元件数量:7端子数量:20
最高工作温度:175 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):520 ns标称接通时间 (ton):360 ns
VCEsat-Max:2.55 VBase Number Matches:1

7MBR100VZ060-50 数据手册

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7MBR100VZ060-50  
IGBT Modules  
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/  
[ Inverter ]  
[ Inverter ]  
Switching time vs. Collector current (typ.)  
Switching time vs. Collector current (typ.)  
Vcc=300V, VGE=±15V, RG=13Ω, Tj= 150°C  
Vcc=300V, VGE=±15V, RG=13Ω, Tj= 125°C  
10000  
1000  
100  
10000  
1000  
100  
ton  
toff  
tr  
ton  
toff  
tr  
tf  
tf  
10  
10  
0
100  
200  
300  
0
100  
200  
300  
Collector current: IC [A]  
Collector current: IC [A]  
[ Inverter ]  
[ Inverter ]  
Switching time vs. gate resistance (typ.)  
Switching loss vs. Collector current (typ.)  
Vcc=300V, Ic=100A, VGE=±15V, Tj= 125°C  
Vcc=300V, VGE=±15V, RG=13Ω  
10000  
1000  
100  
15  
10  
5
Eon(150°C)  
Eon(125°C)  
toff  
ton  
tr  
Eoff(150°C)  
Eoff(125°C)  
tf  
Err(125°C)  
Err(150°C)  
10  
0
1
10  
100  
1000  
0
100  
200  
300  
Collector current: IC [A]  
Gate resistance : RG []  
[ Inverter ]  
[ Inverter ]  
Switching loss vs. gate resistance (typ.)  
Reverse bias safe operating area (max.)  
Vcc=300V, Ic=100A, VGE=±15V  
+VGE=15V,-VGE <= 15V, RG >= 13Ω ,Tj =150°C  
30  
20  
10  
0
300  
Eon(150°C)  
Eon(125°C)  
200  
100  
0
RBSOA  
(Repetitive pulse)  
Eoff(150°C)  
Eoff(125°C)  
Err(150°C)  
Err(125°C)  
0
200  
400  
600  
800  
1
10  
100  
1000  
Collector-Emitter voltage : VCE [V]  
Gate resistance : RG []  
4

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