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7MBP200VEA060-50

更新时间： 2022-05-14 14:56:17

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	804K
描述
IGBT MODULE (V series) 600V / 200A / IPM

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7MBP200VEA060-50 数据手册

7MBP200VEA060-50

IGBT Modules

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

Switching Loss vs. Collector Current (typ.)

^DC=300V, V^CC=15V, T =25

Switching Loss vs. Collector Current (typ.)

℃

^DC=300V, V^CC=15V, T

=125

℃

off

100

200

Collector current : I

300

[ A ]

400

800

150

100

200

300

400

Collector current : I [ A ]

Reversed biased safe operating area

^CC=15V, T 125 [Main Terminal] (min.)

Transient thermal resistance (max.)

≦

℃

600

500

400

300

200

100

FWD

IGBT

0.1

RBSOA

(Repetitive pulse)

0.01

200

400

600

0.001

0.01

0.1

Collector-Emitter voltage : V^CE[ V ]

Pulse width : P [ sec ]

Power derating for IGBT (max.)

[per device]

Power derating for FWD (max.)

[per device]

600

400

200

800

600

400

200

100

150

100

Case Temperature : T

[

]

℃

Case Temperature : T

[

]

℃

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