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74HCT3G04DP

更新时间： 2024-01-11 05:45:33

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安世 - NEXPERIA		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	208K
描述
Triple inverterProduction

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74HCT3G04DP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.16	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	INVERTER
最大I（ol）：	0.004 A	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.16	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	包装方法：	TAPE AND REEL
电源：	5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	29 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
子类别：	Gates	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

74HCT3G04DP 数据手册

Nexperia

74HC3G04; 74HCT3G04

Triple inverter

Symbol Parameter

74HCT3G04

Conditions

25 °C

-40 °C to +85 °C -40 °C to +125 °C Unit

Min Typ Max

Min

Max

Min

Max

t_pd

propagation

delay

nA to nY; see Fig. 5

V_CC= 4.5 V

[1]

t_t

transition time V_CC= 4.5 V; see Fig. 5

[2]

[3]

C_PD

power

V_I= GND to V_CC- 1.5 V

dissipation

capacitance

[1] t_pdis the same as t_PLHand t_PHL

[2] t_tis the same as t_TLHand t_THL

[3] C_PDis used to determine the dynamic power dissipation (P_Din μW).

P_D= C_PDx V_CC²x f_ix N + Σ(C_Lx V_CC²x f_o) where:

f_i= input frequency in MHz;

f_o= output frequency in MHz;

C_L= output load capacitance in pF;

V_CC= supply voltage in V;

N = number of inputs switching;

Σ(C_Lx V_CC²x f_o) = sum of outputs.

11.1. Waveforms and test circuit

nA input

GND

PHL

PLH

90 %

nY output

10 %

TLH

THL

mna722

Measurement points are given in Table 9.

Logic levels: V_OLand V_OHare typical output voltage levels that occur with the output load.

Fig. 5. The data input (nA) to output (nY) propagation delays

Table 9. Measurement points

Type

Input

V_M

Output

V_M

74HC3G04

0.5 × V_CC

1.3 V

0.5 × V_CC

1.3 V

74HCT3G04

74HC_HCT3G04

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Product data sheet

Rev. 5 — 26 November 2018

6 / 12

1...3 4 567 8 9...12

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