74HCT1G32

更新时间： 2024-02-20 16:32:53

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2-input OR gate

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74HCT1G32 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否无铅：	含铅
是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP5/6,.08	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	OR GATE
最大I（ol）：	0.002 A	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP5/6,.08	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	电源：	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	27 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	子类别：	Gates
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

74HCT1G32 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

2-input OR gate

74HC1G32; 74HCT1G32

FEATURES

DESCRIPTION

• Wide operating voltage from 2.0 to 6.0 V

• Symmetrical output impedance

• High noise immunity

The 74HC1G/HCT1G32 is a highspeed Si-gate CMOS

device.

The 74HC1G/HCT1G32 provides the 2-input OR function.

The standard output currents are ¹/₂compared to the

74HC/HCT32.

• Low power dissipation

• Balanced propagation delays

• Very small 5 pins package

• Output capability: standard.

QUICK REFERENCE DATA

GND = 0 V; T_amb= 25 °C; t_r= t_f≤ 6.0 ns.

TYPICAL

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

UNIT

HC1G

HCT1G

t_PHL/t_PLH

C_I

propagation delay A and B to Y

input capacitance

C_L= 15 pF; V_CC= 5 V

notes 1 and 2

1.5

C_PD

power dissipation capacitance

Notes

1. C_PDis used to determine the dynamic power dissipation (P_Din µW).

P_D= C_PD× V_CC²× f_i+ (C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz;

f_o= output frequency in MHz;

C_L= output load capacitance in pF;

V_CC= supply voltage in Volts.

2. For HC1G the conditions is V_I= GND to V_CC

For HCT1G the conditions is V_I= GND to V_CC− 1.5 V.

FUNCTION TABLE

See note 1.

INPUTS

OUTPUT

Note

1. H = HIGH voltage level;

L = LOW voltage level.

2002 May 15

123 4 5 6 7...16

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