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74HCT1G04

更新时间： 2024-01-17 06:52:30

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恩智浦 - NXP		/
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16页	75K
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Inverter

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74HCT1G04 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.1	系列：	HCT
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e3
长度：	2 mm	逻辑集成电路类型：	INVERTER
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
输入次数：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	传播延迟（tpd）：	27 ns
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

74HCT1G04 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Inverter

74HC1G04; 74HCT1G04

AC CHARACTERISTICS

Type 74HC1G04

GND = 0 V; t_r= t_f≤ 6.0 ns; C_L= 50 pF.

TEST CONDITIONS

_amb(°C)

−40 to +85

MIN. TYP.⁽¹⁾MAX. MIN. MAX.

SYMBOL

PARAMETER

−40 to +125

UNIT

WAVEFORMS

V_CC(V)

_PHL/t_PLHpropagation

delay A to Y

see Figs 5 and 6

2.0

4.5

6.0

−

105

−

135

Note

1. All typical values are measured at T_amb= 25 °C.

Type 74HCT1G04

GND = 0 V; t_r= t_f≤ 6.0 ns; C_L= 50 pF.

TEST CONDITIONS

T_amb(°C)

SYMBOL

PARAMETER

−40 to +85

−40 to +125

UNIT

WAVEFORMS

V_CC(V)

4.5

MIN. TYP.⁽¹⁾MAX. MIN. MAX.

10 24 27 ns

t_PHL/t_PLHpropagation

delay A to Y

see Figs 5 and 6

−

Note

1. All typical values are measured at T_amb= 25 °C.

2002 May 17

1...4 5 678 9 10...16

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