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74HCT1G00GV

更新时间： 2024-01-22 23:03:51

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恩智浦 - NXP		触发器逻辑集成电路光电二极管栅
页数	文件大小	规格书
16页	75K
描述
2-input NAND gate

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74HCT1G00GV 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.08	系列：	HCT
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e3
长度：	2 mm	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
输入次数：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	传播延迟（tpd）：	27 ns
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

74HCT1G00GV 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

2-input NAND gate

74HC1G00; 74HCT1G00

AC CHARACTERISTICS

Type 74HC1G00

GND = 0 V; t_r= t_f≤ 6.0 ns; C_L= 50 pF.

TEST CONDITIONS

T_amb(°C)

SYMBOL

PARAMETER

−40 to +85

−40 to +125

UNIT

WAVEFORMS

V_CC(V)

MIN. TYP.⁽¹⁾MAX.

MIN.

MAX.

t_PHL/t_PLH

propagation delay

A and B to Y

see Figs 5 and 6

2.0

4.5

6.0

−

115

−

135

−

Note

1. All typical values are measured at T_amb= 25 °C.

Type 74HCT1G00