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74HCT1G00GV PDF预览

74HCT1G00GV

更新时间： 2024-01-26 09:06:02
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 触发器逻辑集成电路光电二极管栅
页数 文件大小 规格书
16页 75K
描述
2-input NAND gate

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74HCT1G00GV 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP,针数：5
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.08系列：HCT
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e3
长度：2 mm逻辑集成电路类型：NAND GATE
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：2端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260传播延迟（tpd）：27 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：1.25 mm
Base Number Matches：1

74HCT1G00GV 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
2-input NAND gate  
74HC1G00; 74HCT1G00  
DC CHARACTERISTICS  
Family 74HC1G  
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
TEST CONDITIONS Tamb (°C)  
SYMBOL  
PARAMETER  
−40 to +85  
−40 to +125  
MIN. MAX.  
1.5  
UNIT  
OTHER  
VCC (V)  
MIN. TYP.(1) MAX.  
VIH  
HIGH-level input voltage  
2.0  
4.5  
6.0  
2.0  
4.5  
6.0  
2.0  
1.5  
3.15  
4.2  
−
1.2  
2.4  
3.2  
0.8  
2.1  
2.8  
2.0  
−
−
V
V
V
V
V
V
V
−
3.15  
4.2  
−
−
−
−
VIL  
LOW-level input voltage  
0.5  
1.35  
1.8  
−
0.5  
1.35  
1.8  
−
−
−
−
−
VOH  
HIGH-level output  
voltage  
VI = VIH or VIL;  
IO = −20 µA  
1.9  
1.9  
VI = VIH or VIL;  
IO = −20 µA  
4.5  
6.0  
4.5  
6.0  
2.0  
4.5  
6.0  
4.5  
6.0  
4.4  
5.9  
4.13  
5.63  
−
4.5  
6.0  
4.32  
5.81  
0
−
4.4  
5.9  
3.7  
5.2  
−
−
V
V
V
V
V
V
V
V
V
VI = VIH or VIL;  
IO = −20 µA  
−
−
VI = VIH or VIL;  
IO = −2.0 mA  
−
−
VI = VIH or VIL;  
IO = −2.6 mA  
−
−
VOL  
LOW-level output  
voltage  
VI = VIH or VIL;  
IO = 20 µA  
0.1  
0.1  
0.1  
0.33  
0.33  
0.1  
0.1  
0.1  
0.4  
0.4  
VI = VIH or VIL;  
IO = 20 µA  
−
0
−
VI = VIH or VIL;  
IO = 20 µA  
−
0
−
VI = VIH or VIL;  
IO = 2.0 mA  
−
0.15  
0.16  
−
VI = VIH or VIL;  
IO = 2.6 mA  
−
−
ILI  
input leakage current  
VI = VCC or GND 6.0  
−
−
−
−
1.0  
10  
−
−
1.0  
20  
µA  
µA  
ICC  
quiescent supply  
current  
VI = VCC or GND; 6.0  
IO = 0  
Note  
1. All typical values are measured at Tamb = 25 °C.  
2002 May 15  
5
12345678...16

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