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74HCT1G00GV

更新时间： 2024-01-07 21:40:17

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恩智浦 - NXP		触发器逻辑集成电路光电二极管栅
页数	文件大小	规格书
16页	75K
描述
2-input NAND gate

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74HCT1G00GV 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.08	系列：	HCT
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e3
长度：	2 mm	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
输入次数：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	传播延迟（tpd）：	27 ns
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

74HCT1G00GV 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

2-input NAND gate

74HC1G00; 74HCT1G00

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

74HC1G

TYP. MAX. MIN.

74HCT1G

UNIT

SYMBOL

PARAMETER

supply voltage

CONDITIONS

MIN.

2.0

TYP. MAX.

V_CC

V_I

5.0

−

6.0

4.5

5.0

5.5

input voltage

V_CC

−

V_CC

V_O

output voltage

−

T_amb

operating ambient

temperature

see DC and AC

characteristics per

device

−40

+25

+125 −40

+25

+125 °C

t_r,t_f

input rise and fall times V_CC= 2.0 V

V_CC= 4.5 V

−

1000

500

−

500

−

V_CC= 6.0 V

400

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134); voltages are referenced to GND (ground = 0 V);

see note 1 and 2.

SYMBOL

PARAMETER

supply voltage

CONDITIONS

MIN. MAX. UNIT

V_CC

I_IK

−0.5

−

+7.0

±20

input diode current

V_I< −0.5 V or V_I> V_CC+ 0.5 V

I_OK

I_O

output diode current

_O< −0.5 V or V_O> V_CC+ 0.5 V

−

output source or sink current

V_CCor GND current

−0.5 V < V_O< V_CC+ 0.5 V

−

±12.5 mA

±25 mA

+150 °C

200 mW

I_CC

T_stg

P_D

−

storage temperature

−65

−

power dissipation per package

for temperature range from −40 to +125 °C;

note 3

Notes

1. Stresses beyond those listed may cause permanent damage to the device. These are stress rating only and

functional operation of the device at these or any other conditions beyond those under ‘recommended operating

conditions’ is not implied. Exposure to absolute maximum rated conditions for extended periods may affect device

reliability.

2. The input and output voltage ratings may be exceeded if the input and output current ratings are observed.

3. Above 55 °C the value of P_Dderates linearly with 2.5 mW/K.

2002 May 15

1 2 345 6 7...16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
74HCT1G00GV,125	NXP	74HC(T)1G00 - 2-input NAND gate TSOP 5-Pin	获取价格
74HCT1G00GV-Q100	NEXPERIA	2-input NAND gate	获取价格
74HCT1G00GV-Q100,125	NXP	NAND Gate, HCT Series, 1-Func, 2-Input, CMOS, PDSO5	获取价格
74HCT1G00GW	NXP	2-input NAND gate	获取价格
74HCT1G00GW	NEXPERIA	2-input NAND gateProduction	获取价格
74HCT1G00GW,115	NXP	74HC(T)1G00 - 2-input NAND gate TSSOP 5-Pin	获取价格

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