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74HC670N

更新时间: 2024-02-09 07:42:11
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恩智浦 - NXP 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 84K
描述
4 x 4 register file; 3-state

74HC670N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.59
最长访问时间:59 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T16
内存密度:16 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:4 words字数代码:4
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4X4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):6 V最小供电电压 (Vsup):2 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

74HC670N 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
4 x 4 register file; 3-state  
74HC/HCT670  
(1) HC : VM = 50%; VI = GND to VCC  
.
HCT : VM = 1.3 V; VI = GND to 3 V.  
Fig.9 Waveforms showing the read enable (RE) to output (Qn) enable and disable times, and the read enable  
pulse width.  
PACKAGE OUTLINES  
See “74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Package Outlines”.  
December 1990  
9

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