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74HC670N

更新时间： 2024-01-13 00:53:07

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恩智浦 - NXP		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	84K
描述
4 x 4 register file; 3-state

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技术参数
数据手册

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74HC670N 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIP,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.59
最长访问时间：	59 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T16
内存密度：	16 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	16
字数：	4 words	字数代码：	4
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4X4
输出特性：	3-STATE	可输出：	NO
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

74HC670N 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

4 x 4 register ﬁle; 3-state

74HC/HCT670

PIN DESCRIPTION

PIN NO.

SYMBOL

NAME AND FUNCTION

5, 4

R_A, R_B

GND

read address inputs

ground (0 V)

10, 9, 7, 6

Q₀to Q₃

data outputs

3-state output read enable input (active LOW)

write enable input (active LOW)

write address inputs

data inputs

14, 13

15, 1, 2, 3

W_A, W_B

D₀to D₃

V_CC

positive supply voltage

Fig.1 Pin configuration.

Fig.2 Logic symbol.

Fig.3 IEC logic symbol.

Fig.4 Functional diagram.

WRITE MODE SELECT TABLE

INPUTS

READ MODE SELECT TABLE

OPERATING

INPUTS

OUTPUT

Q_n

OPERATING

MODE

INTERNAL

LATCHES⁽¹⁾

MODE

WE D_n

INTERNAL LATCHES⁽¹⁾

write data

read

data latched

no change

disabled

Note

Notes

1. The write address (W_Aand W_B) to the

“internal latches” must be stable while WE is

LOW for conventional operation.

1. The selection of the “internal latches” by read address

(R_Aand R_B) are not constrained by WE or RE operation.

H = HIGH voltage level

L = LOW voltage level

X = don’t care

Z = high impedance OFF-state

December 1990

1 234 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
74HC670N,652	NXP	4X4 STANDARD SRAM, 59ns, PDIP16	获取价格
74HC670NB	NXP	IC 4 X 4 STANDARD SRAM, 59 ns, PDIP16, Static RAM	获取价格
74HC670PW-T	NXP	IC 4 X 4 STANDARD SRAM, 59 ns, PDSO16, Static RAM	获取价格
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