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74HC245

更新时间： 2024-02-12 09:16:29
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安森美 - ONSEMI 总线收发器
页数 文件大小 规格书
8页 127K
描述
Octal 3−State Noninverting Bus Transceiver

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74HC245 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSSOP
包装说明：4.40 MM, PLASTIC, MO-153, SOT-360-1, TSSOP-20针数：20
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.02其他特性：WITH DIRECTION CONTROL
控制类型：COMMON CONTROL计数方向：BIDIRECTIONAL
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-PDSO-G20
长度：6.5 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：BUS TRANSCEIVER最大I（ol）：0.006 A
湿度敏感等级：1位数：8
功能数量：1端口数量：2
端子数量：20最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP20,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：27 ns传播延迟（tpd）：135 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
子类别：Bus Driver/Transceivers最大供电电压 (Vsup)：6 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：NICKEL/PALLADIUM/GOLD (NI/PD/AU)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
翻译：N/A宽度：4.4 mm
Base Number Matches：1

74HC245 数据手册

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74HC245  
Octal 3−State Noninverting  
Bus Transceiver  
High−Performance Silicon−Gate CMOS  
The 74HC245 is identical in pinout to the LS245. The device inputs  
are compatible with standard CMOS outputs; with pull−up resistors,  
they are compatible with LSTTL outputs.  
The HC245 is a 3−state noninverting transceiver that is used for  
2−way asynchronous communication between data buses. The device  
has an active−low Output Enable pin, which is used to place the I/O  
ports into high−impedance states. The Direction control determines  
whether data flows from A to B or from B to A.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
20  
1
HC  
245  
TSSOP−20  
DT SUFFIX  
CASE 948E  
20  
Features  
ALYW G  
1
G
• Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads  
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL  
• Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V  
• Low Input Current: 1.0 mA  
• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices  
• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard  
No. 7A  
HC245 = Device Code  
A
L
Y
W
G
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
• ESD Performance: HBM > 2000 V; Machine Model > 200 V  
(Note: Microdot may be in either location)  
• Chip Complexity: 308 FETs or 77 Equivalent Gates  
• This is a Pb−Free Device  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
March, 2007 − Rev. 1  
74HC245/D  
12345678

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