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74AUP1G0832GS

更新时间： 2024-01-12 07:33:07

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安世 - NEXPERIA		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	258K
描述
Low-power 3-input AND-OR gateProduction

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74AUP1G0832GS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	VSON,	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.64
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
JESD-609代码：	e3	长度：	1 mm
逻辑集成电路类型：	AND-OR GATE	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	3
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSON	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
传播延迟（tpd）：	21.8 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.35 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.35 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1 mm	Base Number Matches：	1

74AUP1G0832GS 数据手册

Nexperia

74AUP1G0832

Low-power 3-input AND-OR gate

Symbol Parameter

C_L= 15 pF

Conditions

25 °C

-40 °C to +85 °C -40 °C to +125 °C Unit

Min Typ[1] Max

Min

Max

Min

Max

t_pd

propagation A, B or C to Y; see Fig. 6

[2]

[3]

delay

V_CC= 0.8 V

26.6

V_CC= 1.1 V to 1.3 V

V_CC= 1.4 V to 1.6 V

V_CC= 1.65 V to 1.95 V

V_CC= 2.3 V to 2.7 V

V_CC= 3.0 V to 3.6 V

3.2

2.5

2.3

2.1

1.9

7.3 14.2

2.8

2.6

2.0

1.9

1.8

14.7

9.1

7.5

5.6

4.8

2.8

2.6

2.0

1.9

1.8

16.2

10.0

8.3

5.1

4.2

3.4

3.2

8.3

6.7

5.0

4.5

6.2

5.3

C_L= 30 pF

t_pdpropagation A, B or C to Y; see Fig. 6

delay

V_CC= 0.8 V

34.8

V_CC= 1.1 V to 1.3 V

V_CC= 1.4 V to 1.6 V

V_CC= 1.65 V to 1.95 V

V_CC= 2.3 V to 2.7 V

V_CC= 3.0 V to 3.6 V

4.1

3.3

3.0

2.8

2.6

9.5 19.0

6.6 11.0

3.6

3.3

2.6

2.5

2.4

19.8

12.1

10.0

7.4

3.6

3.3

2.6

2.5

2.4

21.8

13.3

11.0

8.3

5.5

4.5

4.3

8.8

6.6

5.9

6.4

7.0

T_amb= 25 °C

C_PDpower

f_i= 1 MHz;

dissipation

V_I= GND to V_CC

capacitance

V_CC= 0.8 V

2.5

2.7

2.8

2.9

3.4

4.0

V_CC= 1.1 V to 1.3 V

V_CC= 1.4 V to 1.6 V

V_CC= 1.65 V to 1.95 V

V_CC= 2.3 V to 2.7 V

V_CC= 3.0 V to 3.6 V

[1] All typical values are measured at nominal V_CC

[2] t_pdis the same as t_PLHand t_PHL

[3] C_PDis used to determine the dynamic power dissipation (P_Din μW).

P_D= C_PD× V_CC²× f_i× N + Σ(C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz;

f_o= output frequency in MHz;

C_L= output load capacitance in pF;

V_CC= supply voltage in V;

N = number of inputs switching;

Σ(C_L× V_CC²× f_o) = sum of the outputs.

74AUP1G0832

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Product data sheet

Rev. 7 — 13 July 2023

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74AUP1G0832GW	NXP	Low-power 3-input AND-OR gate	获取价格
74AUP1G0832GW	NEXPERIA	Low-power 3-input AND-OR gateProduction	获取价格
74AUP1G0832GW,125	NXP	74AUP1G0832 - Low-power 3-input AND-OR gate TSSOP 6-Pin	获取价格
74AUP1G08FW4-7	DIODES	SINGLE 2 INPUT POSITIVE AND GATE	获取价格
74AUP1G08FZ4-7	DIODES	SINGLE 2 INPUT POSITIVE AND GATE	获取价格

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