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74AUP1G04GV,125 PDF预览

74AUP1G04GV,125

更新时间： 2024-01-23 23:57:37
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
22页 347K
描述
74AUP1G04 - Low-power inverter TSOP 5-Pin

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74AUP1G04GV,125 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：TSSOP, TSOP5/6,.11,37
针数：5Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76系列：AUP/ULP/V
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e3
长度：2.9 mm负载电容（CL）：30 pF
逻辑集成电路类型：INVERTER最大I（ol）：0.0017 A
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：1端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSOP5/6,.11,37封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TAPE AND REEL
电源：1.2/3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：16 ns
传播延迟（tpd）：20.9 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.1 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：0.8 V标称供电电压 (Vsup)：1.1 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL宽度：1.5 mm
Base Number Matches：1

74AUP1G04GV,125 数据手册

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74AUP1G04  
NXP Semiconductors  
Low-power inverter  
Table 7.  
Static characteristics …continued  
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Tamb = −40 °C to +85 °C  
VIH  
HIGH-level input voltage  
VCC = 0.8 V  
0.70 × VCC  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
VCC = 0.9 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
VCC = 0.8 V  
0.65 × VCC  
-
1.6  
-
2.0  
-
VIL  
LOW-level input voltage  
-
-
-
-
0.30 × VCC  
0.35 × VCC  
0.7  
VCC = 0.9 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
0.9  
VOH  
HIGH-level output voltage VI = VIH or VIL  
IO = −20 μA; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
VCC − 0.1  
0.7 × VCC  
1.03  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
IO = −1.1 mA; VCC = 1.1 V  
IO = −1.7 mA; VCC = 1.4 V  
IO = −1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = −2.3 mA; VCC = 2.3 V  
IO = −3.1 mA; VCC = 2.3 V  
IO = −2.7 mA; VCC = 3.0 V  
IO = −4.0 mA; VCC = 3.0 V  
VI = VIH or VIL  
1.30  
1.97  
1.85  
2.67  
2.55  
VOL  
LOW-level output voltage  
IO = 20 μA; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
IO = 1.1 mA; VCC = 1.1 V  
IO = 1.7 mA; VCC = 1.4 V  
IO = 1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = 2.3 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 3.1 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 2.7 mA; VCC = 3.0 V  
IO = 4.0 mA; VCC = 3.0 V  
VI = GND to 3.6 V; VCC = 0 V to 3.6 V  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1  
V
0.3 × VCC  
0.37  
0.35  
0.33  
0.45  
0.33  
0.45  
0.5  
V
V
V
V
V
V
V
II  
input leakage current  
μA  
μA  
μA  
IOFF  
ΔIOFF  
power-off leakage current VI or VO = 0 V to 3.6 V; VCC = 0 V  
0.5  
additional power-off  
leakage current  
VI or VO = 0 V to 3.6 V;  
CC = 0 V to 0.2 V  
0.6  
V
ICC  
supply current  
VI = GND or VCC; IO = 0 A;  
VCC = 0.8 V to 3.6 V  
-
-
-
-
0.9  
50  
μA  
μA  
ΔICC  
additional supply current  
VI = VCC − 0.6 V; IO = 0 A;  
VCC = 3.3 V  
74AUP1G04  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
© NXP B.V. 2012. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 7 — 27 June 2012  
6 of 22  
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