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74AHCT1G79GV

更新时间： 2024-01-17 20:59:04
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
12页 213K
描述
Single D-type flip-flop; positive-edge triggerProduction

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74AHCT1G79GV 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：TSOP, TSOP5/6,.11,37Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7JESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e3负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：D FLIP-FLOP最大频率@ Nom-Sup：70000000 Hz
最大I（ol）：0.008 A湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP5/6,.11,37封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：11 ns认证状态：Not Qualified
子类别：FF/Latches标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL触发器类型：POSITIVE EDGE
Base Number Matches：1

74AHCT1G79GV 数据手册

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Nexperia  
74AHC1G79; 74AHCT1G79  
Single D-type flip-flop; positive-edge trigger  
11. Dynamic characteristics  
Table 8. Dynamic characteristics  
GND = 0 V; tr = tf = ≤ 3.0 ns. For test circuit see Fig. 6. For waveform see Fig. 5.  
Symbol Parameter Conditions  
74AHC1G79  
25 °C  
-40 °C to +85 °C -40 °C to +125 °C Unit  
Min Typ Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
tpd  
propagation CP to Q  
delay  
[1]  
[2]  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
CL = 15 pF  
CL = 50 pF  
-
-
4.9  
8.4  
1.0  
1.0  
9.8  
1.0  
1.0  
11.5  
15.5  
ns  
ns  
6.9 12.0  
14.0  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
CL = 15 pF  
[3]  
-
-
3.5  
5.1  
1.0  
5.6  
1.0  
1.0  
3.0  
2.0  
3.0  
90  
7.0  
1.0  
1.0  
4.0  
3.0  
4.0  
70  
8.0  
ns  
CL = 50 pF  
8.0  
10.0  
11.0  
ns  
tsu  
th  
set-up time D to CP  
hold time D to CP  
3.0  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns  
+2.0 -1.0  
ns  
tW  
pulse width clock HIGH or LOW  
3.0  
90  
-
-
ns  
fmax  
maximum  
frequency  
MHz  
CPD  
power  
per buffer; CL = 50 pF;  
[4]  
-
15  
-
-
-
-
-
pF  
dissipation  
capacitance  
f = 1 MHz; VI = GND to VCC  
74AHCT1G79  
tpd  
propagation CP to Q  
[1]  
[3]  
delay  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
CL = 15 pF  
-
-
3.5  
5.0  
1.0  
5.0  
1.0  
1.0  
3.0  
2.0  
3.0  
90  
6.0  
1.0  
1.0  
4.0  
3.0  
4.0  
70  
8.0  
ns  
CL = 50 pF  
8.0  
10.0  
11.0  
ns  
tsu  
th  
set-up time D to CP  
hold time D to CP  
3.0  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns  
+2.0 -1.0  
ns  
tW  
pulse width clock HIGH or LOW  
3.0  
90  
-
-
ns  
fmax  
maximum  
frequency  
MHz  
CPD  
power  
per buffer; CL = 50 pF;  
[4]  
-
16  
-
-
-
-
-
pF  
dissipation  
capacitance  
f = 1 MHz; VI = GND to VCC  
[1] tpd is the same as tPLH and tPHL  
.
[2] Typical values are measured at VCC = 3.3 V.  
[3] Typical values are measured at VCC = 5.0 V.  
[4] CPD is used to determine the dynamic power dissipation PD (μW).  
PD = CPD x VCC 2 x fi + Σ(CL x VCC 2 x fo) where:  
fi = input frequency in MHz;  
fo = output frequency in MHz;  
CL = output load capacitance in pF;  
VCC = supply voltage in Volt.  
©
74AHC_AHCT1G79  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
Nexperia B.V. 2022. All rights reserved  
Product data sheet  
Rev. 8 — 11 January 2022  
6 / 12  
 
 
 
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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