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74AHC1G86GV-Q100,1

更新时间： 2024-01-03 08:27:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
13页 106K
描述
74AHC(T)1G86-Q100 - 2-input EXCLUSIVE-OR gate TSOP 5-Pin

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74AHC1G86GV-Q100,1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TSOP包装说明：SSOP,
针数：5Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68系列：AHC/VHC/H/U/V
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e3
长度：2.9 mm逻辑集成电路类型：XOR GATE
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：2端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED传播延迟（tpd）：18.5 ns
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.9 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.95 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：1.5 mm
Base Number Matches：1

74AHC1G86GV-Q100,1 数据手册

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NXP Semiconductors  
74AHC1G86-Q100; 74AHCT1G86-Q100  
2-input EXCLUSIVE-OR gate  
Table 7.  
Static characteristics …continued  
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter Conditions  
25 C  
40 C to +85 C 40 C to +125 C Unit  
Min Typ Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
For type 74AHCT1G86-Q100  
VIH  
HIGH-level  
input voltage  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
2.0  
-
-
-
-
2.0  
-
-
2.0  
-
-
V
V
VIL  
LOW-level  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
0.8  
0.8  
0.8  
input voltage  
VOH  
HIGH-level  
output voltage  
VI = VIH or VIL; VCC = 4.5 V  
IO = 50 A  
4.4  
4.5  
-
-
-
4.4  
3.8  
-
-
4.4  
-
-
V
V
IO = 8.0 mA  
3.94  
3.70  
VOL  
LOW-level  
output voltage  
VI = VIH or VIL; VCC = 4.5 V  
IO = 50 A  
-
-
-
0
-
0.1  
0.36  
0.1  
-
-
-
0.1  
0.44  
1.0  
-
-
-
0.1  
0.55  
2.0  
V
IO = 8.0 mA  
V
II  
input leakage VI = 5.5 V or GND;  
current VCC = 0 V to 5.5 V  
-
A  
ICC  
ICC  
supply current VI = VCC or GND; IO = 0 A;  
VCC = 5.5 V  
-
-
-
-
1.0  
-
-
10  
-
-
40  
A  
additional  
per input pin; VI = 3.4 V;  
1.35  
1.5  
1.5  
mA  
supply current other inputs at VCC or GND;  
IO = 0 A; VCC = 5.5 V  
CI  
input  
-
1.5  
10  
-
10  
-
10  
pF  
capacitance  
11. Dynamic characteristics  
Table 8.  
Dynamic characteristics  
GND = 0 V; tr = tf = 3.0 ns. For waveform see Figure 5. For test circuit see Figure 6.  
Symbol Parameter Conditions  
25 C  
40 C to +85 C 40 C to +125 C Unit  
Min Typ Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
For type 74AHC1G86-Q100  
[1]  
[2]  
tpd  
propagation A and B to Y  
delay  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
CL = 15 pF  
CL = 50 pF  
-
-
4.0 11.0  
5.8 14.5  
1.0  
1.0  
13.0  
16.5  
1.0  
1.0  
14.0  
18.5  
ns  
ns  
[3]  
[4]  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
CL = 15 pF  
-
-
-
3.4  
4.9  
9
6.8  
8.8  
-
1.0  
1.0  
-
8.0  
10.0  
-
1.0  
1.0  
-
8.5  
11.5  
-
ns  
ns  
pF  
CL = 50 pF  
CPD  
power  
per buffer;  
dissipation  
CL = 50 pF; f = 1 MHz;  
capacitance VI = GND to VCC  
74AHC_AHCT1G86_Q100  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
© NXP B.V. 2012. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 1 — 16 July 2012  
5 of 13  
 
 
12345678...13

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