74ACT299B

更新时间： 2024-02-19 13:51:29

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		移位寄存器触发器逻辑集成电路光电二极管
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8 BIT PIPO SHIFT REGISTER WITH ASYNCHRONOUS CLEAR

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74ACT299B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.11	其他特性：	HOLD MODE; COMMON I/O PINS; GATED OUTPUT CONTROL
计数方向：	BIDIRECTIONAL	系列：	ACT
JESD-30 代码：	R-PDSO-G20	长度：	12.8 mm
逻辑集成电路类型：	PARALLEL IN PARALLEL OUT	位数：	8
功能数量：	1	端子数量：	20
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出特性：	3-STATE	输出极性：	TRUE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
传播延迟（tpd）：	16.5 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.65 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
触发器类型：	POSITIVE EDGE	宽度：	7.5 mm
最小 fmax：	110 MHz	Base Number Matches：	1

74ACT299B 数据手册

74ACT299

8 BIT PIPO SHIFT REGISTER

WITH ASYNCHRONOUS CLEAR

PRELIMINARY DATA

■

HIGH SPEED:

f_MAX=170MHz(TYP.) at V_CC=5V

LOW POWER DISSIPATION:

I_CC=8 µA (MAX.) at T_A=25 ^oC

COMPATIBLEWITH TTL OUTPUTS

V_IH=2V (MIN), V_IL= 0.8V(MAX)

50Ω TRANSMISSIONLINEDRIVING

CAPABILITY

SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:

|I_OH| = I_OL= 24 mA (MIN)

BALANCEDPROPAGATIONDELAYS:

t_PLHt_PHL

(Plastic Package)

(Micro Package)

ORDER CODES :

74ACT299B

74ACT299M

These devices have four modes (HOLD, SHIFT

LEFT, SHIFT RIGHT and LOAD DATA). Each

mode is chosen by two function select inputs (S0,

S1) as shownin the Truth Table.

When one or both enable inputs, (G1, G2) are

high, the eight input/output terminals are in

the high-impedance state ; however sequential

operation or clearing of the register is not

affected. Clear function is synchronousto clock.

The device is designed to interface directly High

Speed CMOS systems with TTL, NMOS and

CMOS output voltage levels.

OPERATING VOLTAGERANGE:

V_CC(OPR)= 4.5V to 5.5V

PIN AND FUNCTION COMPATIBLEWITH

74 SERIES299

IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY

DESCRIPTION

The ACT299 is an high-speed CMOS 8-BIT PIPO

SHIFT REGISTERS (3-STATE) fabricated with

sub-micron silicon gate and double-layer metal

wiring C²MOS technology. It is ideal for low

power applications mantaining high speed

operation similar to equivalent Bipolar Schottky

TTL.

All inputs and outputs are equipped with

protection circuits against static discharge, giving

them 2KV ESD immunity and transient excess

voltage.

PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS

1/13

April 1999

12 3 4 5 6 7...13

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