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7202SA120LB

更新时间: 2024-11-22 09:15:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 先进先出芯片内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 1091K
描述
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32

7202SA120LB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-XQCC-N32JESD-609代码:e0
内存密度:9216 bit内存集成电路类型:OTHER FIFO
内存宽度:9端子数量:32
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1KX9
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.03 A
子类别:FIFOs最大压摆率:0.115 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

7202SA120LB 数据手册

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