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71V424L12YG8

更新时间： 2024-02-09 06:18:37
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 72K
描述
3.3V CMOS Static RAM

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71V424L12YG8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ, SOJ36,.44针数：36
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.33
Samacsys Description：SOIC 400 MIL J-BEND最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J36
JESD-609代码：e3长度：23.495 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：36
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ36,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.683 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.155 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mm

71V424L12YG8 数据手册

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IDT71V424S, IDT71V424L, 3.3V CMOS Static RAM  
4 Meg (512K x 8-bit)  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
AbsoluteMaximumRatings(1)  
RecommendedOperating  
TemperatureandSupplyVoltage  
Symbol  
Rating  
Value  
Unit  
Grade  
Commercial  
Industrial  
Temperature  
0°C to +70°C  
–40°C to +85°C  
V
SS  
VDD  
VDD  
Supply Voltage Relative to  
-0.5 to +4.6  
V
0V  
0V  
See Below  
See Below  
VSS  
Terminal Voltage Relative  
to VSS  
-0.5 to VDD+0.5  
V
VIN, VOUT  
3622 tbl 05  
T
T
P
BIAS  
STG  
T
Temperature Under Bias  
Storage Temperature  
Power Dissipation  
-55 to +125  
oC  
oC  
W
RecommendedDCOperating  
Conditions  
-55 to +125  
1
Symbol  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
3.6  
Unit  
V
I
OUT  
DC Output Current  
50  
mA  
V
DD  
SS  
IH  
IL  
Supply Voltage  
3.0  
3.3  
3622 tbl 04  
NOTE:  
V
Ground  
0
0
0
V
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may  
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and  
functional operation of the device at these or any other conditions above those  
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure  
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect  
reliability.  
____  
V
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.0  
V
DD+0.3(1)  
0.8  
V
-0.3(2)  
V
____  
V
3622 tbl 06  
NOTES:  
1. VIH (max.) = VDD+2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.  
2. VIL (min.) = –2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.  
DC Electrical Characteristics  
(VDD = Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)  
IDT71V424  
Symbol  
|ILI  
|ILO  
Parameter  
Input Leakage Current  
Test Condition  
DD = Max., VIN = VSS to VDD  
Min.  
Max. Unit  
___  
|
V
V
5
5
µA  
µA  
V
___  
___  
|
Output Leakage Current  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
DD = Max., CS = VIH, VOUT = VSS to VDD  
VOL  
I
I
OL = 8mA, VDD = Min.  
OH = -4mA, VDD = Min.  
0.4  
___  
VOH  
2.4  
V
3622 tbl 07  
DC Electrical Characteristics(1, 2, 3)  
(VDD = Min. to Max., VLC = 0.2V, VHC = VDD – 0.2V)  
71V424S/L 10  
Com'l. Ind.  
71V424S/L 12  
71V424S/L 15  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Dynamic Operating Current  
Com'l.  
Ind.  
170  
155  
55  
Com'l.  
Ind.  
160  
145  
50  
S
L
S
L
S
L
180  
165  
60  
180  
165  
60  
170  
155  
55  
160  
145  
50  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
ICC  
(4)  
CS < VLC, Outputs Open, VDD = Max., f = fMAX  
Dynamic Standby Power Supply Current  
ISB  
CS > VHC, Outputs Open, VDD = Max., f = fMAX(4)  
55  
55  
50  
50  
45  
45  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
Full Standby Power Supply Current (static)  
ISB1  
CS > VHC, Outputs Open, VDD = Max., f = 0(4)  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
mA  
3622 tbl 08  
NOTES:  
1. All values are maximum guaranteed values.  
2. All inputs switch between 0.2V (Low) and VDD - 0.2V (High).  
3. Power specifications are preliminary.  
4. fMAX = 1/tRC (all address inputs are cycling at fMAX); f = 0 means no address input lines are changing.  
6.42  
3
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