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71V416YS12BEG1

更新时间： 2024-01-01 19:17:28
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 137K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48

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71V416YS12BEG1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：BGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B48
JESD-609代码：e1内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：48字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA48,6X8,30封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.02 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.13 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

71V416YS12BEG1 数据手册

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IDT71V416YS, IDT71V416YL 3.3V CMOS Static RAM  
for Automotive Applications 4 Meg (256K x 16-Bit)  
Automotive Temperature Ranges  
DC Electrical Characteristics  
(VDD = Min. to Max., Automotive Temperature Ranges)  
Automotive  
Temperature  
Grade  
IDT71V416  
Symbol  
Parameter  
Input Leakage Current  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
___  
___  
___  
___  
___  
1 and 2  
3 and 4  
1 and 2  
3 and 4  
5
1
5
1
|ILI|  
VDD = Max., VIN = VSS to VDD  
µA  
|ILO|  
Output Leakage Current  
VDD = Max., CS = VIH, VOUT = VSS to VDD  
µA  
V
VOL  
VOH  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
IOL = 8mA, VDD = Min.  
IOH = -4mA, VDD = Min.  
0.4  
___  
2.4  
V
6817 tbl 07  
DC Electrical Characteristics(1, 2, 3)  
(VDD = Min. to Max., VLC = 0.2V, VHC = VDD – 0.2V, Automotive Temperature Ranges)  
71V416S/L12  
71V416S/L15  
Automotive Grade  
71V416S/L20  
Automotive Grade  
Symbol  
Parameter  
Automotive Grade  
Unit  
1
2
3 and 4  
1
2
3 and 4  
1
2
3 and 4  
S
L
Max.  
Max.  
130  
120  
120  
110  
110  
100  
125  
115  
115  
105  
105  
95  
120  
110  
110  
100  
100  
90  
Dynamic Operating Current  
CS < VLC, Outputs Open, VDD = Max., f = fMAX  
CC  
I
mA  
mA  
(3)  
Ty p . (4)  
85  
85  
85  
80  
80  
80  
80  
80  
80  
S
L
S
L
Max.  
Max.  
Max.  
65  
50  
20  
10  
65  
50  
20  
10  
65  
45  
20  
10  
55  
45  
20  
10  
55  
45  
20  
10  
50  
40  
20  
10  
50  
40  
20  
10  
50  
40  
20  
10  
50  
40  
20  
10  
Dynamic Standby Power Supply Current  
CS > VHC, Outputs Open, VDD = Max., f = fMAX  
SB  
I
(3)  
Full Standby Power Supply Current (static)  
CS > VHC, Outputs Open, VDD = Max., f = 0  
SB1  
I
mA  
(3)  
IDT71V416S/71MVax4. 16L  
6817 tbl 8  
NOTES:  
1. All values are maximum guaranteed values.  
2. All inputs switch between 0.2V (Low) and VDD -0.2V (High).  
3. fMAX = 1/tRC (all address inputs are cycling at fMAX); f = 0 means no address input lines are changing.  
4. Typical values are measured at 3.3V, 25oC and with equal read and write cycles. This parameter is guaranteed by device characterization but is not production tested.  
3.3V  
AC Test Loads  
+1.5V  
320  
50  
OUT  
DATA  
I/O  
Z = 50  
0
5pF*  
350  
30pF  
6817 drw 03  
6817 drw 04  
Figure 1. AC Test Load  
*Including jig and scope capacitance.  
Figure 2. AC Test Load  
(for tCLZ, tOLZ, tCHZ, tOHZ, tOW, and tWHZ)  
7
6
5
4
3
tAA, tACS  
(Typical, ns)  
AC Test Conditions  
Input Pulse Levels  
GND to 3.0V  
1.5ns  
2
1
Input Rise/Fall Times  
Input Timing Reference Levels  
Output Reference Levels  
AC Test Load  
1.5V  
1.5V  
180  
8 20 40 60 80 100 120 140 160  
CAPACITANCE (pF)  
200  
6817 drw 05  
Figures 1,2 and 3  
Figure 3. Output Capacitive Derating  
6817 tbl 09  
6.442  
1234567...9

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