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71V416YS12BEG1

更新时间： 2024-02-16 09:29:01

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	137K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48

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71V416YS12BEG1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	12 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

71V416YS12BEG1 数据手册

IDT71V416YS, IDT71V416YL 3.3V CMOS Static RAM

for Automotive Applications 4 Meg (256K x 16-Bit)

Automotive Temperature Ranges

AbsoluteMaximumRatings⁽¹⁾

RecommendedOperating

TemperatureandSupply

Voltage

Symbol

Rating

Value

Unit

Supply Voltage Relative to

VSS

VDD

-0.5 to +4.6

-0.5 to VDD+0.5

Grade

Temperature

-40°C to +125°C

-40°C to +105°C

-40°C to +85°C

0°C to +70°C

V^SS

V^DD

Terminal Voltage Relative to

VSS

Automotive Grade 1

Automotive Grade 2

Automotive Grade 3

Automotive Grade 4

See Below

VIN, VOUT

TBIAS

Temperature Under Bias

Junction Temperature Range

Storage Temperature

Power Dissipation

-55 to +125

-40 to +150

-65 to +150

^oC

See Below

TSTG

6817 tbl 05

RecommendedDCOperating

Conditions

IOUT

DC Output Current

6817 tbl 04

NOTE:

Symbol

Parameter

Supply Voltage

Ground

Min.

3.0

Typ.

3.3

Max.

Unit

1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may

cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional

operation of the device at these or any other conditions above those indicated

in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute

maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.

V^DD

3.6

V^SS

(1)

____

V^DD+0.3

0.8

V^IH

V^IL

Input High Voltage

Input Low Voltage

2.0

(1)

____

-0.3

SOJ/TSOPCapacitance

(TA = +25°C, f = 1.0MHz)

6817 tbl 06

NOTE:

1. Refer to maximum overshoot/undershoot diagram below. The measured

voltage at device pin must not exceed half sinusoidal wave with 2V peak and

half period of 2ns.

Symbol

C^IN

Parameter⁽¹⁾

Input Capacitance

I/O Capacitance

Conditions

V^IN= 3dV

V^OUT= 3dV

Max. Unit

C^I/O

MaximumOvershoot/Undershoot

6817 tbl 02

+2V

48BGACapacitance

2ns

(TA = +25°C, f = 1.0MHz)

Symbol

C^IN

Parameter⁽¹⁾

Input Capacitance

I/O Capacitance

Conditions

V^IN= 3dV

V^OUT= 3dV

Max. Unit

2ns

-2V

6817 drw 12

C^I/O

6817 tbl 02b

NOTE:

1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production

tested.

6.42

1 234 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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