是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.26 |
最长访问时间: | 4.2 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119,7X17,50 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.36 mm |
最大待机电流: | 0.045 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.31 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
71V2556S133BQ | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165 |
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71V2556S133BQGI8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165 |
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71V2556S133BQI8 | IDT |
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SRAM |
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71V2556S133PFG | IDT |
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3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
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71V2556S133PFG8 | IDT |
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3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
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71V2556S133PFGI | IDT |
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3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
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71V2556S133PFGI8 | IDT |
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3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
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71V2556S150BGG | IDT |
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3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
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71V2556S150BGG8 | IDT |
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3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
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71V2556S150BGGI | IDT |
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3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
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