是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 13 X 15 MM, FPBGA-165 |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.71 | 最长访问时间: | 4.2 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TBGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 2.5,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.04 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
71V2556S133BQGI8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165 |
![]() |
71V2556S133BQI8 | IDT |
获取价格 |
SRAM |
![]() |
71V2556S133PFG | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
![]() |
71V2556S133PFG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
![]() |
71V2556S133PFGI | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
![]() |
71V2556S133PFGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
![]() |
71V2556S150BGG | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
![]() |
71V2556S150BGG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
![]() |
71V2556S150BGGI | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
![]() |
71V2556S150BGGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous ZBT SRAMs |
![]() |