是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, DIP-48 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.58 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP48,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 | 最大待机电流: | 0.004 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.22 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
7142LA25CGB8 | IDT | HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM |
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7142LA25CGI | IDT | Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP48, 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, DI |
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7142LA25CGI8 | IDT | HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM |
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7142LA25CI | IDT | Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, SIDE BRAZ |
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7142LA25FG8 | IDT | Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CE |
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7142LA25FGB | IDT | Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CE |
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