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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, DIP-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.58 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 25 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T48 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP48,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.004 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.22 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 7142LA25CGI8 | IDT | HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM |
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| 7142LA25CI | IDT | Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, SIDE BRAZ |
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| 7142LA25FG8 | IDT | Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CE |
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| 7142LA25FGB | IDT | Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CE |
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| 7142LA25FGB8 | IDT | HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM |
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| 7142LA25FGI8 | IDT | HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM |
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