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7133LA90PFB

更新时间： 2024-02-13 09:27:59
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 137K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

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7133LA90PFB 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：QFP
包装说明：LFQFP, QFP100,.63SQ,20针数：100
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.08
Is Samacsys：N最长访问时间：90 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：14 mm
内存密度：32768 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：100字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：2KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFQFP
封装等效代码：QFP100,.63SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-PRF-38535
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.004 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.28 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：14 mmBase Number Matches：1

7133LA90PFB 数据手册

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IDT7133SA/LA,IDT7143SA/LA  
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM  
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges  
AC Electrical Characteristics Over the  
OperatingTemperatureandSupplyVoltage(3)  
7133X20  
7143X20  
7133X25  
7143X25  
Com'l, Ind  
& Military  
7133X35  
7143X35  
Com'l, Ind  
& Military  
Com'l Only  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
READ CYCLE  
____  
____  
____  
t
RC  
AA  
ACE  
AOE  
OH  
LZ  
HZ  
PU  
PD  
Read Cycle Time  
20  
25  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
____  
t
Address Access Time  
20  
20  
25  
25  
35  
35  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
Chip Enable Access Time  
t
Output Enable Access Time  
Output Hold from Address Change  
Output Low-Z Time(1,2)  
12  
15  
20  
____  
____  
____  
t
0
0
0
____  
____  
____  
t
0
0
0
Output High-Z Time(1,2)  
12  
15  
20  
____  
____  
____  
t
t
Chip Enable to Power Up Time(2)  
Chip Disable to Power Down Time(2)  
0
0
0
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
20  
50  
50  
ns  
2746 tbl 10a  
7133X45  
7133X55  
7143X55  
Com'l, Ind  
& Military  
7133X70/90  
7143X45  
Com'l &  
Military  
7143X70/90  
Com'l &  
Military  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
READ CYCLE  
____  
____  
____  
tRC  
tAA  
tACE  
tAOE  
tOH  
tLZ  
Read Cycle Time  
45  
55  
70/90  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
____  
Address Access Time  
45  
45  
55  
55  
70/90  
70/90  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
Chip Enable Access Time  
Output Enable Access Time  
Output Hold from Address Change  
Output Low-Z Time(1,2)  
25  
30  
40/40  
____  
____  
____  
0
0
0/0  
____  
____  
____  
0
5
5/5  
Output High-Z Time(1,2)  
20  
20  
25/25  
____  
____  
____  
tHZ  
tPU  
tPD  
Chip Enable to Power Up Time(2)  
Chip Disable to Power Down Time(2)  
0
0
0/0  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
50  
50  
50/50  
ns  
2746 tbl 10b  
NOTES:  
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with load (Figure 2).  
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.  
3. 'X' in part number indicates power rating (SA or LA).  
7
6.42  
1...45678910...16

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