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7133LA90FG8

更新时间： 2024-01-07 10:15:15
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 311K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, PQFP68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH, GREEN, FP-68

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7133LA90FG8 技术参数

生命周期：Active包装说明：QFF,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.58
Is Samacsys：N最长访问时间：90 ns
JESD-30 代码：S-PQFP-F68内存密度：32768 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：68
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QFF
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK
并行/串行：PARALLEL最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：FLAT
端子位置：QUADBase Number Matches：1

7133LA90FG8 数据手册

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IDT7133SA/LA,IDT7143SA/LA  
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM  
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges  
Absolute Maximum Ratings(1)  
Maximum Operating  
Temperature and Supply Voltage(1,2)  
Symbol  
Rating  
Commercial  
& Industrial  
Military  
Unit  
Grade  
Ambient  
Temperature  
GND  
Vcc  
(2)  
V
TERM  
Terminal Voltage  
with Respect  
to GND  
-0.5 to +7.0  
-0.5 to +7.0  
V
Military  
-55OC to +125OC  
0OC to +70OC  
0V  
0V  
0V  
5.0V  
+
+
+
10%  
Commercial  
Industrial  
5.0V  
5.0V  
10%  
Temperature  
Under Bias  
-55 to +125  
-65 to +150  
2.0  
-65 to +135  
-65 to +150  
2.0  
oC  
oC  
W
T
BIAS  
-40OC to +85OC  
10%  
Storage  
Temperature  
TSTG  
2746 tbl 04  
NOTES:  
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.  
P
T
Power  
Dissipation  
DC Output  
Current  
50  
50  
mA  
IOUT  
2746 tbl 02  
NOTES:  
Recommended DC Operating  
Conditions  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may  
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in  
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
V
CC  
Supply Voltage  
4.5  
5.0  
5.5  
0
V
V
V
2. VTERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns  
maximum, and is limited to < 20mA for the period of VTERM > Vcc + 10%.  
GND  
Ground  
0
0
____  
V
IH  
IL  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.2  
6.0(2)  
0.8  
____  
V
-0.5(1)  
V
2746 tbl 05  
NOTES:  
Capacitance (TA = +25°C, f = 1.0mhz)  
1. VIL (min.) = -1.5V for pulse width less than 10ns.  
2. VTERM must not exceed Vcc + 10%.  
Symbol  
Parameter(1)  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Conditions(2)  
Max. Unit  
CIN  
VIN = 3dV  
11  
11  
pF  
COUT  
V
OUT = 3dV  
pF  
2746 tbl 03  
NOTES:  
1. This parameter is determined by device characterization but is not production  
tested.  
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch from  
0V to 3V or from 3V to 0V.  
DC Electrical Characteristics Over the Operating  
Temperature and Supply Voltage Range (Either port, VCC = 5.0V ± 10%)  
7133SA  
7143SA  
7133LA  
7143LA  
Symbol  
|ILI  
|ILO  
Parameter  
Input Leakage Current(1)  
Output Leakage Current  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
10  
Min.  
Max.  
Unit  
µA  
µA  
V
___  
___  
|
V
CC = 5.5V, VIN = 0V to VCC  
5
5
___  
___  
___  
___  
___  
___  
|
10  
CE = VIH, VOUT = 0V to VCC  
OL = 4mA  
OL = 16mA  
V
V
OL  
Output Low Voltage (I/O0-I/O15  
)
I
0.4  
0.5  
0.4  
0.5  
Open Drain Output Low Voltage  
(BUSY)  
I
V
OL  
OH  
___  
___  
V
Output High Voltage  
IOH = -4mA  
2.4  
2.4  
V
2746 tbl 06  
NOTE:  
1. At Vcc < 2.0V, input leakages are undefined.  
6.42  
4
1234567...17

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
7133LA90FGB IDT Dual-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, PQFP68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH, GREEN, FP-68

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