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7133LA35JI

更新时间： 2024-02-10 20:41:48
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 309K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68

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7133LA35JI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：LCC
包装说明：0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68针数：68
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.07
最长访问时间：35 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQCC-J68JESD-609代码：e0
长度：24.2062 mm内存密度：32768 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
端口数量：2端子数量：68
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC68,1.0SQ
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.572 mm最大待机电流：0.004 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.295 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：24.2062 mmBase Number Matches：1

7133LA35JI 数据手册

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IDT7133SA/LA,IDT7143SA/LA  
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM  
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges  
AC Electrical Characteristics Over the  
OperatingTemperatureandSupplyVoltage(3)  
7133X20  
7133X25  
7143X25  
Com'l & Ind  
7133X35  
7143X35  
Com'l  
7143X20  
Com'l Only  
& Military  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
READ CYCLE  
____  
____  
____  
t
RC  
AA  
ACE  
AOE  
OH  
LZ  
HZ  
PU  
PD  
Read Cycle Time  
20  
25  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
____  
t
Address Access Time  
20  
20  
25  
25  
35  
35  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
Chip Enable Access Time  
t
Output Enable Access Time  
Output Hold from Address Change  
Output Low-Z Time(1,2)  
12  
15  
20  
____  
____  
____  
t
0
0
0
____  
____  
____  
t
0
0
0
Output High-Z Time(1,2)  
12  
15  
20  
____  
____  
____  
t
t
Chip Enable to Power Up Time(2)  
Chip Disable to Power Down Time(2)  
0
0
0
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
20  
50  
50  
ns  
2746 tbl 10a  
7133X45  
7133X55  
7143X55  
Com'l, Ind  
& Military  
7133X70/90  
7143X45  
7143X70/90  
Com'l &  
Military  
Com'l Only  
Symbol  
READ CYCLE  
Parameter  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
____  
____  
____  
t
RC  
AA  
ACE  
AOE  
OH  
LZ  
HZ  
PU  
PD  
Read Cycle Time  
45  
55  
70/90  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
____  
t
Address Access Time  
45  
45  
55  
55  
70/90  
70/90  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
Chip Enable Access Time  
Output Enable Access Time  
Output Hold from Address Change  
Output Low-Z Time(1,2)  
t
25  
30  
40/40  
____  
____  
____  
t
0
0
0/0  
____  
____  
____  
t
0
5
5/5  
Output High-Z Time(1,2)  
20  
20  
25/25  
____  
____  
____  
t
t
Chip Enable to Power Up Time(2)  
Chip Disable to Power Down Time (2)  
0
0
0/0  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
50  
50  
50/50  
ns  
2746 tbl 10b  
NOTES:  
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with load (Figure 2).  
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.  
3. 'X' in part number indicates power rating (SA or LA).  
7
6.42  
1...45678910...17

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
7133LA45JB IDT Dual-Port SRAM, 2KX16, 45ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC,

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