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7133LA35JI

更新时间： 2024-01-21 16:35:15
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 309K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68

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7133LA35JI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：LCC
包装说明：0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68针数：68
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.07
最长访问时间：35 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQCC-J68JESD-609代码：e0
长度：24.2062 mm内存密度：32768 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
端口数量：2端子数量：68
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC68,1.0SQ
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.572 mm最大待机电流：0.004 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.295 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：24.2062 mmBase Number Matches：1

7133LA35JI 数据手册

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IDT7133SA/LA,IDT7143SA/LA  
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM  
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges  
Data Retention Characteristics  
(LA Version Only) VLC = 0.2V, VHC = VCC - 0.2V  
7133LA/7143LA  
Symbol  
Parameter  
CC for Data Retention  
Test Condition  
Min.  
2.0  
___  
Typ.(1)  
Max.  
Unit  
V
___  
___  
VDR  
V
V
CC = 2V  
CE > VHC  
IN > VHC or < VLC  
I
CCDR  
Data Retention Current  
µA  
MIL. & IND.  
100  
4000  
___  
V
COM'L.  
100  
1500  
(3)  
___  
___  
t
CDR  
Chip Deselect to Data Retention Time  
Operation Recovery Time  
0
V
(3)  
(2)  
___  
___  
tR  
t
RC  
V
2746 tbl 08  
NOTES:  
1. Vcc = 2V, TA = +25°C, and are not production tested.  
2. tRC = Read Cycle Time  
3. This parameter is guaranteed by device characterization but is not production tested.  
Data Retention Waveform  
DATA RETENTION MODE  
DR > 2V  
VCC  
4.5V  
V
4.5V  
tCDR  
tR  
VDR  
CE  
VIH  
VIH  
2746 drw 05  
AC Test Conditions  
Input Pulse Levels  
5V  
GND to 3.0V  
1250Ω  
Input Rise/Fall Times  
5ns Max.  
1.5V  
Input Timing Reference Levels  
Output Reference Levels  
Output Load  
DATAOUT  
1.5V  
775Ω  
30pF  
Figures 1, 2 and 3  
2746 tbl 09  
Figure 1. AC Output Test Load  
5V  
5V  
270Ω  
1250Ω  
BUSY  
DATAOUT  
775Ω  
30pF  
5pF*  
2746 drw 06  
Figure 2. Output Load  
Figure 3. BUSY Output Load  
(for tLZ, tHZ, tWZ, tOW)  
(IDT7133 only)  
*Including scope and jig  
6.42  
6
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
7133LA45JB IDT Dual-Port SRAM, 2KX16, 45ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC,

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