5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QFP, QFP128,.63X.87,20 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 12 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 50 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G128 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 128 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QFP | 封装等效代码： | QFP128,.63X.87,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 70V9389L12PRFGI | IDT |
获取价格 |
SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 70V9389L12PRFGI8 | IDT |
获取价格 |
SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 70V9389L6PF | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PQFP100 |
|
| 70V9389L6PF8 | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PQFP100 |
|
| 70V9389L6PFG | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PQFP100 |
|
| 70V9389L6PFG8 | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PQFP100 |
|
| 70V9389L6PRF8 | IDT |
获取价格 |
TQFP-128, Reel |
|
| 70V9389L6PRFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128 |
|
| 70V9389L6PRFG8 | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 64KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN |
|
| 70V9389L7PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 64KX18, 18ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
