是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | QFP, QFP128,.63X.87,20 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 7.5 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 83 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G128 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 1179648 bit |
内存集成电路类型: | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 128 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP128,.63X.87,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.002 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V9389L7PRFGI | IDT |
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SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V9389L7PRFGI8 | IDT |
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SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V9389L9PF8 | IDT |
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Application Specific SRAM, 64KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-10 | |
70V9389L9PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 | |
70V9389L9PFG8 | IDT |
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Application Specific SRAM, 64KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, | |
70V9389L9PFGI | IDT |
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SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V9389L9PFGI8 | IDT |
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SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V9389L9PFI8 | IDT |
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Application Specific SRAM, 64KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-10 | |
70V9389L9PRF | IDT |
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TQFP-128, Tray | |
70V9389L9PRFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128 |