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70V9159L6PFG8

更新时间： 2024-02-28 23:44:50

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	205K
描述
HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM

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70V9159L6PFG8 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	QFP,
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	6.5 ns
其他特性：	PIPELINED OR FLOW THROUGH ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	S-PQFP-G100
内存密度：	73728 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX9	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

70V9159L6PFG8 数据手册

IDT70V9169/59L

High-Speed 3.3V 16/8K x 9 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM

Industrial and Commercial Temperature Ranges

AC Test Conditions

Input Pulse Levels

GND to 3.0V

2ns Max.

1.5V

Input Rise/Fall Times

Input Timing Reference Levels

Output Reference Levels

Output Load

1.5V

Figures 1, 2 & 3

5655 tbl 10

3.3V

590Ω

DATAOUT

30pF

435Ω

5pF*

435Ω

5655 drw 03

5655 drw 04

Figure 2. Output Test Load

(For tCKLZ, tCKHZ, tOLZ, and tOHZ).

Figure 1. AC Output Test load.

*Including scope and jig.

10pF is the I/O capacitance

of this device, and 30pF is the

AC Test Load Capacitance

tCD

(Typical, ns)

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

Capacitance (pF)

-1

5655 drw 06

Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).

6.42

1...4 5 678 9 10...16

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