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70V7599S166DRG8

更新时间： 2024-01-07 23:34:25
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 755K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM

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70V7599S166DRG8 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：QFP, QFP208,1.2SQ,20Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.74
最长访问时间：3.6 ns其他特性：PIPELINED OR FLOW THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：166 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQFP-G208内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：36
功能数量：1端口数量：2
端子数量：208字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QFP
封装等效代码：QFP208,1.2SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
电源：2.5/3.3,3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.03 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.79 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.45 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUADBase Number Matches：1

70V7599S166DRG8 数据手册

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IDT70V7599S  
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM  
Industrial and Commercial Temperature Ranges  
RecommendedOperating  
RecommendedDCOperating  
TemperatureandSupplyVoltage(1)  
Conditions with VDDQ at 2.5V  
Symbol  
VDD  
Parameter  
Core Supply Voltage  
I/O Supply Voltage(3)  
Ground  
Min. Typ.  
Max.  
Unit  
V
Ambient  
Grade  
Commercial  
Temperature  
0OC to +70OC  
-40OC to +85OC  
GND  
0V  
V
+
+
DD  
3.15  
2.4  
0
3.3  
2.5  
3.45  
3.3V  
3.3V  
150mV  
150mV  
VDDQ  
VSS  
2.6  
V
Industrial  
0V  
0
0
V
VDDQ + 100mV(2)  
5626 tbl 04  
____  
Input High Voltage  
1.7  
V
VIH  
NOTE:  
(Address & Control Inputs)  
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.  
____  
____  
VIH  
VIL  
Input High Voltage - I/O(3)  
1.7  
-0.3(1)  
VDDQ + 100mV(2)  
0.7  
V
Input Low Voltage  
V
5626 tbl 05a  
NOTES:  
1. Undershoot of VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns is allowed.  
2. VTERM must not exceed VDDQ + 100mV.  
AbsoluteMaximumRatings(1)  
3. To select operation at 2.5V levels on the I/Os and controls of a given port, the  
OPTpinforthatportmustbesettoVIL (0V), andVDDQX forthatportmustbesupplied  
as indicated above.  
Symbol  
Rating  
Commercial  
& Industrial  
Unit  
(2)  
V
TERM  
Terminal Voltage  
with Respect to  
GND  
-0.5 to +4.6  
V
RecommendedDCOperating  
Conditions with VDDQ at 3.3V  
T
BIAS  
Temperature  
Under Bias  
-55 to +125  
-65 to +150  
50  
oC  
oC  
Symbol  
Parameter  
Core Supply Voltage  
I/O Supply Voltage(3)  
Ground  
Min. Typ.  
Max.  
Unit  
V
Storage  
TSTG  
V
DD  
DDQ  
SS  
3.15  
3.15  
0
3.3  
3.3  
3.45  
Temperature  
V
3.45  
V
IOUT  
DC Output Current  
mA  
5626 tbl 06  
V
0
0
V
NOTES:  
Input High Voltage  
2.0  
V
V
DDQ + 150mV(2)  
V
____  
V
IH  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may  
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated  
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
2. VTERM must not exceed VDD + 150mV for more than 25% of the cycle time or  
4ns maximum, and is limited to < 20mA for the period of VTERM > VDD + 150mV.  
(Address & Control Inputs)(3)  
V
IH  
IL  
Input High Voltage - I/O(3)  
2.0  
-0.3(1)  
DDQ + 150mV(2)  
0.8  
V
V
____  
____  
V
Input Low Voltage  
5626 tbl 05b  
NOTES:  
1. Undershoot of VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns is allowed.  
2. VTERM must not exceed VDDQ + 150mV.  
3. To select operation at 3.3V levels on the I/Os and controls of a given port, the  
OPT pin for that port must be set to VIH (3.3V), and VDDQX for that port must be  
supplied as indicated above.  
6.42  
7
1...45678910...22

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