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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | BGA, BGA208,17X17,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.74 |
| 最长访问时间： | 4.2 ns | 其他特性： | PIPELINED OR FLOW THROUGH ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B208 | 内存密度： | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 208 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA208,17X17,32 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 3.15 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.645 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 70V7599S133BFGI | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V7599S133BFGI8 | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V7599S133BFI | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2. |
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| 70V7599S133DR | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2. |
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| 70V7599S133DRG | IDT | 暂无描述 |
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| 70V7599S133DRG8 | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM |
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