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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LFQFP, QFP100,.63SQ,20 | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.34 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 14 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFQFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63SQ,20 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.003 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 70V261L55PFG8 | IDT | Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, T |
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| 70V261L55PFGI | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V261L55PFGI8 | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V261S25PF8 | IDT | TQFP-100, Reel |
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| 70V261S25PFG | IDT | Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, T |
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| 70V261S25PFG8 | IDT | Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQFP100 |
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