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70P269L90BYI

更新时间： 2024-01-04 14:58:22

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	146K
描述
Application Specific SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100

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70P269L90BYI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	BGA, BGA100,10X10,20
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.69
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	IT ALSO OPERATES AT SUPPLY VOLTAGE 2.5 V AND 3 V NOMINAL
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PBGA-B100
JESD-609代码：	e0	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	APPLICATION SPECIFIC SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	100	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA100,10X10,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8/3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.006 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

70P269L90BYI 数据手册

IDT70P269/259/249L

Low Power 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM

Industrial Temperature Range

Ordering Information

IDT XXXXX

999

Device

Type

Power Speed Package

Process/

Temperature

Range

Industrial (-40°C to +85°C)

Green

100 Ball 0.5mm-pitch BGA(BY100)

Industrial Only

Low Power

Speed in nanoseconds

70P269

70P259

70P249

256K (16K x 16) Dual-Port SRAM

128K (8K x 16) Dual-Port SRAM

64K (4K x 16) Dual-Port SRAM

7146 drw 16

DatasheetDocumentHistory

10/16/08:

InitialDatasheet

CORPORATE HEADQUARTERS

6024 Silver Creek Valley Road

San Jose, CA 95138

for SALES:

800-345-7015 or 408-284-8200

fax: 408-284-2775

for Tech Support:

408-284-2794

DualPortHelp@idt.com

www.idt.com

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

6.42

OCTOBER16,2008

1...19 20 2122

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